описание:ПамятьCD4-US08G26M19-00S от компании CBR.
Row Precharge Delay (tRP):19
Дополнительная информация:Одноранговый модуль
manufacturerCountry:КИТАЙ
Модель:CD4-US08G26M19-00S
Объем одного модуля (ГБ):8
Напряжение (В):1.2
название:CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 8GB CD4-US08G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, Micron SDRAM, single rank
высота(см):4
RAS to CAS Delay (tRCD):19